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SK-Hynix prévoit une mémoire PC DDR5-8400 ultra-rapide – High-teK.ca

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SK Hynix fait de grands projets autour de la DDR5, y compris un effort sans précédent pour augmenter la vitesse d’horloge de la norme beaucoup plus haut que ce que nous voyons généralement dans une seule génération de RAM. Actuellement, une solution DDR4-3200 à double canal offre jusqu’à 51,7 Go/s de bande passante mémoire. Une solution DDR5-8400 à double canal pousserait cela à 134,4 Go/s de RAM par seconde.

Pour atteindre ces sommets, un certain nombre de modifications de la DDR5 sont nécessaires par rapport à la DDR4, et Hynix a publié des informations sur la manière dont elle prévoit d’atteindre ces objectifs.

SK_hynix_DDR5_Spécifications

Beaucoup d’entre eux sont des extensions sans surprise des capacités intégrées à la DDR4. La DDR5 utilise 32 banques en huit groupes par rapport aux 16 banques de la DDR4 en quatre groupes, et une longueur de rafale doublée (de 8 à 16). D’autres fonctionnalités sont nouvelles (ou nouvelles en tant que capacités de base).

L’ECC (Error Correcting Code) n’est pas une nouvelle fonctionnalité DRAM, mais c’est la première fois que nous voyons l’ECC obligatoire intégré dans une norme de RAM grand public.

Un autre avantage qui devrait augmenter le débit global est une capacité nommée Same Bank Refresh (abrégé en REFsb pour des raisons qui m’échappent). Auparavant, les cycles de rafraîchissement DRAM ciblaient simultanément chaque banc DRAM et les commandes de lecture/écriture ne pouvaient pas être traitées pendant un cycle de rafraîchissement. Selon ce livre blanc de Micron, une actualisation de toutes les banques est émise en moyenne toutes les 3,9 µs et prend 295 ns.

L’actualisation de la même banque nécessite uniquement qu’une banque de chaque groupe de banques soit inactive pour que la commande soit traitée. Les 12 autres banques n’ont pas à tourner au ralenti et peuvent continuer à fonctionner normalement. Les commandes REFsb sont émises toutes les 1,95 µs mais se terminent en 130 ns. L’utilisation de REFsb réduit l’impact sur la latence d’inactivité de 11,2 ns à 5 ns. Les astuces de réduction de la latence sont généralement beaucoup plus difficiles à réaliser que les améliorations de débit, de sorte que chaque élément aide dans pratiquement tous les domaines.

Selon Micron, REFsb améliore le débit de 6 à 9 % en fonction du mélange de lectures et d’écritures dans le test. La DDR5 devrait avoir un débit plus élevé que la DDR4 même à la même fréquence, bien que la différence ne soit évidemment pas énorme.

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La tension de fonctionnement de la DDR5 est également réduite par rapport à la DDR4, jusqu’à 1,1 V, bien que les vitesses d’horloge plus élevées que les amateurs préfèrent consommeront sans aucun doute plus de puissance que les modules standard (surtout si Hynix tient sa promesse DDR5-8400).

Quant à savoir quand vous devriez réellement vous attendre à acheter un système avec DDR5? C’est beaucoup moins clair. AMD s’en tient à AM4 et DDR4 jusqu’en 2020 et la DDR5 ne fait que monter en puissance en ce qui concerne la production. Nous pourrions voir la DDR5 en 2021, mais il ne serait pas sans précédent que son introduction glisse en 2022 – Intel et AMD ont retardé l’adoption des normes RAM dans le passé si les objectifs de prix ou la demande globale de produits n’étaient pas atteints.

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