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Samsung dévoile le premier High-K Metal Gate 512 Go DDR5, jusqu’à 7200 Mbps

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Samsung a annoncé un nouveau module DDR5 de 512 Go, capable de taux de transfert allant jusqu’à 7200 Mbps et construit à l’aide de la technologie de porte métallique high-k. Certains d’entre vous se souviennent peut-être des discussions sur HKMG il y a quelques années, lorsque Intel a introduit la technologie pour les processeurs, ou encore à l’ère 28 nm/32 nm, lorsqu’elle a été discutée dans le cadre du débat gate-first / gate-last.

Le passage à un diélectrique à k élevé signifie que Samsung a adopté un nouveau matériau de remplacement pour le diélectrique de grille en dioxyde de silicium qu’il utilisait auparavant. Ce nouveau matériau – Intel a utilisé du hafnium en 2007 – a une valeur de constante diélectrique (k) plus élevée que le dioxyde de silicium que Samsung utilisait probablement auparavant, ce qui signifie qu’il perd moins de courant à la même épaisseur.

Nous avons d’abord vu cette technologie déployée dans les puces logiques, mais comme les géométries de processus ont diminué, elle est également devenue utile à l’industrie de la DRAM.

SK_hynix_DDR5_Spécifications

Selon Samsung, ces nouveaux modules HKMG consomment 13 % d’énergie en moins qu’ils ne le feraient autrement. Samsung a lancé HKMG pour la première fois dans GDDR6 en 2018, mais c’est la première fois que nous voyons la technologie dans la mémoire de bureau grand public.

La prise en charge de la DDR5 devrait être introduite avec la plate-forme Sapphire Rapids d’Intel, qui devrait arriver en 2022. Nous pourrions voir des systèmes prototypes avec DDR5 et Alder Lake d’Intel – la société pourrait concevoir sa puce de nouvelle génération pour prendre en charge à la fois la DDR4 et la DDR5. Toute actualisation de la plate-forme AMD cette année est également susceptible d’utiliser la DDR4. Les mises à jour DDR5 pour le matériel grand public et les nouvelles plates-formes (LGA1700 pour Intel et un AM5 attendu pour AMD) arriveront probablement également en 2022.

La DDR5, à son arrivée, devrait démarrer à la DDR5-4800 – 1,5 fois la bande passante de la DDR4 haut de gamme – puis évoluer vers le haut à partir de là, avec des vitesses aussi élevées que la DDR5-8400 théoriquement possible, une fois que les fabricants de mémoire auront un peu de temps avec la norme. Il s’agit d’un changement par rapport aux transitions DDR précédentes, où la nouvelle norme était lancée à la bande passante de l’ancienne norme. Vous pouvez acheter de la DDR3-2400, mais l’horloge la plus élevée approuvée par JEDEC était la DDR3-1600, et c’est là que la DDR4 a commencé. Les processeurs de bureau ne sont pas fortement liés à la latence, il sera donc intéressant de voir si le plus grand écart de bande passante entre DDR4 et DDR5 au lancement produit un écart de performances significatif en dehors des références sensibles à la mémoire.

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Les graphiques intégrés, en revanche, bénéficieront toujours de plus de bande passante mémoire. La DDR5-8400 double canal fournirait l’équivalent de 134,4 Go/s de bande passante mémoire à une solution intégrée, et nous sommes impatients de l’avoir.

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