Everspin lance une nouvelle RAM magnétique non volatile qui est 500 fois plus rapide que la mémoire flash NAND – High-teK.ca

Les normes de mémoire alternatives ont été lancées pendant des décennies alors que les chercheurs s’efforçaient de trouver l’hypothétique Saint Graal – un produit non volatil, à faible latence et à faible coût qui pourrait passer des disques durs à la RAM conventionnelle. La mémoire flash NAND est devenue la coqueluche haute vitesse et non volatile de l’industrie du stockage, mais si vous suivez l’évolution de la norme, vous saurez que NAND est loin d’être parfait. Le nombre total de cycles de lecture/écriture et la durée des données si le disque n’est pas maintenu sous tension sont deux problèmes importants, car les réductions de processus continuent de diminuer.

Jusqu’à présent, ce Saint Graal reste insaisissable, mais une solution pratique de MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) a fait un pas vers la concrétisation cette semaine. Everspin a annoncé la livraison de la première ST-MRAM de 64 Mo dans un module compatible DDR3. Ces modules transfèrent des données à des fréquences d’horloge DDR3-1600, mais les latences d’accès sont bien inférieures à celles de la RAM flash, promettant une augmentation globale des performances de 500x par rapport à la NAND conventionnelle.

La technologie d’Everspin utilise une seule jonction tunnel magnétique (MTJ) et un transistor. Lorsqu’un courant est appliqué, les électrons polarisés en spin traversent la barrière diélectrique. Cela signifie que le moment cinétique des électrons est transféré à la couche magnétique, « inversant » la polarisation. L’état de la cellule est « lu » en mesurant sa résistance.

La technologie Spin-torque utilise beaucoup moins d’énergie pour les écritures que la MRAM conventionnelle et devrait s’adapter plus efficacement à des géométries plus petites. Le principal avantage énergétique de la MRAM est qu’une fois « écrites », les cellules n’ont pas besoin d’être rafraîchies. La MRAM conserve ses données si l’alimentation est coupée et elle ne consomme pas d’énergie pour conserver les données pendant le fonctionnement actif du système.

Les avantages de ce type de mémoire sont potentiellement énormes. La réduction de la consommation d’énergie offerte par la MRAM pourrait être utilisée pour prolonger la durée de vie de la batterie dans les appareils mobiles tout en augmentant simultanément la densité dans HPC et supercalcul nœuds. Cela dit, la ST-MRAM est encore à des années des applications grand public pratiques. Les nouveaux « DIMM » de 64 Mo d’Everspin sont impressionnants, mais les DIMM DDR3 grand public actuels de 8 Go ne coûtent que 30 $. C’est une différence de densité de 1000x.

Cela ne signifie pas que la ST-MRAM doit atteindre une densité égale à celle des modules DIMM grand public pour devenir utile. Une fois que Everspin peut construire des circuits intégrés de 8 Mo, la MRAM pourrait commencer à remplacer d’autres technologies de mémoire dans les appareils dotés de petites quantités de mémoire. La technologie est encore à des années d’un déploiement de masse, mais de toutes les technologies de mémoire de remplacement en cours de développement, elle semble la plus prometteuse.

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